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发布时间:2022-10-02 21:29:41 来源: A+ A-
导读 5月3日,英飞凌科技公司宣布推出一款新型汽车电源模块HybridPACK™ Drive CoolSiC™。该全桥模块采用CoolSiC MOSFET技术,阻断电压为1200V,适用于电动汽车(EV)的牵引

         5月3日,英飞凌科技公司宣布推出一款新型汽车电源模块HybridPACK™ Drive CoolSiC™。该全桥模块采用CoolSiC MOSFET技术,阻断电压为1200V,适用于电动汽车(EV)的牵引逆变器。基于汽车CoolSiC沟槽MOSFET技术,该电源模块适用于高功率密度和高性能应用,从而为具有超长续航和较低电池成本的车辆逆变器提供更高的效率,特别是搭载800 V电池系统和更大电池容量的车辆。

 

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(图片来源:英飞凌)


         现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung博士表示:“全球模块化电动平台(E-GMP)的800 V系统为下一代电动汽车奠定了技术基础,缩短了充电时间。通过使用基于英飞凌CoolSiC电源模块的牵引逆变器,我们能够将车辆的行驶里程提高5%以上,因为与基于硅的解决方案相比,这种SiC解决方案的损耗更低,并提高了效率。”
         英飞凌创新与新兴技术负责人Mark Münzer表示:“电动汽车市场已经高度活跃,为创意和创新奠定了基础。随着SiC器件价格的大幅下降,SiC解决方案的商业化将加速,从而使SiC技术被广泛应用于提升电动车的续航里程,而采用SiC技术的平台也更具成本效益。”
         该电源模块可为从硅到碳化硅的相同路径提供简便的升级途径,从而使得逆变器设计能够在1200 V级中实现高达250 kW的高功率、更长的续航里程、更小的电池尺寸以及优化的系统尺寸和成本。为了在不同功率水平下提供最佳的性价比,该产品提供具有不同芯片数的两种版本,即1200 V 400 A或200 A直流额定值版本。

CoolSiC汽车MOSFET技术


         第一代CoolSiC汽车MOSFET技术被优化以用于牵引逆变器,专注实现最低的传导损耗,尤其是在部分负载条件下。与硅IGBT相比,结合碳化硅MOSFET的低开关损耗可提高逆变器操作效率。
         除优化性能外,英飞凌还非常重视可靠性。汽车CoolSiC™MOSFET的设计和测试可实现短路鲁棒性以及高水平的宇宙射线和栅极氧化物的鲁棒性,这些对于高效设计、可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用至关重要。该HybridPACK驱动器CoolSiC电源模块符合汽车电源模块AQG324规范。

 

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